Name: IRFP4110PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFP4110PBF-ND
Price: 7.24175 PLN
Availability: OutOfStock

IRFP4110PBF
Numer produktu DigiKey	IRFP4110PBF-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRFP4110PBF
Opis	MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 120A (Tc) 370W (Tc) Otwór przelotowy TO-247AC
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRFP4110PBF Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Rurka
Status części	Ostatnio kupiono
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	120A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	4,5mOhm przy 75A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	210 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	9620 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	370W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-247AC
Obudowa / skrzynia	TO-247-3
Bazowy numer produktu	IRFP4110

Cena jednostkowa bez VAT:	5,88760 zł
Cena jednostkowa z VAT:	7,24175 zł

IRFP4110PBF