IRFL4105TRPBF Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IRFL4105TRPBF
Numer produktu DigiKey	IRFL4105TRPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRFL4105TRPBFCT-ND - Taśma cięta (CT) IRFL4105TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRFL4105TRPBF
Opis	MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 55 V 3,7A (Ta) 1W (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-223
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRFL4105TRPBF Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	55 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	3,7A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	45mOhm przy 3,7A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	660 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-223
Obudowa / skrzynia	TO-261-4, TO-261AA
Bazowy numer produktu	IRFL4105

Cena jednostkowa bez VAT:	4,07000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	5,00610 zł

IRFL4105TRPBF