IRFHS9301TRPBF Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IRFHS9301TRPBF jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

Rohm Semiconductor

W magazynie: 4 617

Cena jednostkowa : 4,67000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRFHS9301TRPBF
Numer produktu DigiKey	IRFHS9301TRPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRFHS9301TRPBFCT-ND - Taśma cięta (CT) IRFHS9301TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRFHS9301TRPBF
Opis	MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 6A (Ta), 13A (Tc) 2,1W (Ta) Montaż powierzchniowy 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRFHS9301TRPBF Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,4V przy 25µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 13 nC @ 10 V
Seria HEXFET®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 580 pF @ 25 V
Status części Nieaktualne	Straty mocy (maks.) 2,1W (Ta)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Obudowa dostawcy urządzenia 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 6A (Ta), 13A (Tc)	Obudowa / skrzynia 6-PowerVDFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu IRFHS9301
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 37mOhm przy 7,8A, 10V