IRFH7004TRPBF Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IRFH7004TRPBF
Numer produktu DigiKey	IRFH7004TRPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRFH7004TRPBFCT-ND - Taśma cięta (CT) IRFH7004TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRFH7004TRPBF
Opis	MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 100A (Tc) 156W (Tc) Montaż powierzchniowy PQFN (5x6)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRFH7004TRPBF Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®, StrongIRFET™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	100A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,4mOhm przy 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,9V przy 150µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	194 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	6419 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	156W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PQFN (5x6)
Obudowa / skrzynia	8-VQFN podkładka odsłonięta
Bazowy numer produktu	IRFH7004

Cena jednostkowa bez VAT:	8,66000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	10,65180 zł

IRFH7004TRPBF