Name: IRFH5302TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH5302TRPBFTR-ND
Price: 7.9827 PLN
Availability: OutOfStock

IRFH5302TRPBF
Numer produktu DigiKey	IRFH5302TRPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRFH5302TRPBFCT-ND - Taśma cięta (CT) IRFH5302TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRFH5302TRPBF
Opis	MOSFET N-CH 30V 32A/100A PQFN
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 32A (Ta), 100A (Tc) 3,6W (Ta), 100W (Tc) Montaż powierzchniowy PQFN (5x6) pojedyncza szczęka
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRFH5302TRPBF Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nie do nowych projektów
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	32A (Ta), 100A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	2,1mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,35V przy 100µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	76 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4400 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,6W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PQFN (5x6) pojedyncza szczęka
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN
Bazowy numer produktu	IRFH5302

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
4 000	1,71096 zł	6 843,84 zł
8 000	1,62877 zł	13 030,16 zł

Cena jednostkowa bez VAT:	6,49000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	7,98270 zł

IRFH5302TRPBF