Name: IRFH5015TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH5015TRPBFTR-ND
Price: 9.7662 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRFH5015TRPBF
Numer produktu DigiKey	IRFH5015TRPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRFH5015TRPBFCT-ND - Taśma cięta (CT) IRFH5015TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRFH5015TRPBF
Opis	MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 150 V 10A (Ta), 56A (Tc) 3,6W (Ta), 156W (Tc) Montaż powierzchniowy PQFN (5x6)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRFH5015TRPBF Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 5V przy 150µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 50 nC @ 10 V
Seria HEXFET®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2300 pF @ 50 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 3,6W (Ta), 156W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 150 V	Obudowa dostawcy urządzenia PQFN (5x6)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 10A (Ta), 56A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu IRFH5015
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 31mOhm przy 34A, 10V