Name: IRFB3307ZPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFB3307ZPBF-ND
Price: 4.70818 PLN
Availability: OutOfStock

IRFB3307ZPBF
Numer produktu DigiKey	IRFB3307ZPBF-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRFB3307ZPBF
Opis	MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 75 V 120A (Tc) 230W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRFB3307ZPBF Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Rurka
Status części	Ostatnio kupiono
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	75 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	120A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	5,8mOhm przy 75A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 150µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4750 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	230W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220AB
Obudowa / skrzynia	TO-220-3
Bazowy numer produktu	IRFB3307

Cena jednostkowa bez VAT:	3,82779 zł
Cena jednostkowa z VAT:	4,70818 zł

IRFB3307ZPBF