MOSFET - układy 30V 6,8A, 4,6A 2W Montaż powierzchniowy 8-SO
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRF9389TRPBF

Numer produktu DigiKey
IRF9389TRPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR)
IRF9389TRPBFCT-ND - Taśma cięta (CT)
IRF9389TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent
Infineon Technologies
Numer produktu producenta
IRF9389TRPBF
Opis
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
MOSFET - układy 30V 6,8A, 4,6A 2W Montaż powierzchniowy 8-SO
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
IRF9389TRPBF Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Producent
Infineon Technologies
Seria
HEXFET®
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Status części
Nieaktualne
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja
Kanał N i P
Charakterystyka FET
Bramka poziomu logicznego
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
6,8A, 4,6A
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
27mOhm przy 6,8A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
2,3V przy 10µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
14nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
398pF przy 15V
Moc - maks.
2W
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia
8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Obudowa dostawcy urządzenia
8-SO
Bazowy numer produktu
IRF9389
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 67 036
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ten produkt nie jest już produkowany, a jego zapasy nie będą uzupełniane po wyczerpaniu. Wyświetl Zamienniki lub Rodzaje opakowań alternatywnych.
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Taśma cięta (CT)
Ilość Cena jednostkowa Wartość
13,12000 zł3,12 zł
101,93700 zł19,37 zł
1001,25020 zł125,02 zł
5000,95372 zł476,86 zł
1 0000,85804 zł858,04 zł
2 0000,77748 zł1 554,96 zł
Taśma i szpula (TR)
Ilość Cena jednostkowa Wartość
4 0000,70968 zł2 838,72 zł
8 0000,65266 zł5 221,28 zł
12 0000,62361 zł7 483,32 zł
20 0000,59681 zł11 936,20 zł
Opakowanie standardowe producenta
Cena jednostkowa bez VAT:3,12000 zł
Cena jednostkowa z VAT:3,83760 zł
Produkt powiązanyZobacz wszystko
8 Pozycje
IRS10752LTRPBF

IRS10752LTRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

2,79000 zł
IRS2005STRPBF

IRS2005STRPBF

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

3,41000 zł
IRS4427STRPBF

IRS4427STRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

4,33000 zł
IRS2011STRPBF

IRS2011STRPBF

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

4,40000 zł
2EDL23N06PJXUMA1

2EDL23N06PJXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DSO

Infineon Technologies

8,55000 zł
1ED44173N01BXTSA1

1ED44173N01BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

3,04000 zł
6EDL04N02PRXUMA1

6EDL04N02PRXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28TSSOP

Infineon Technologies

12,84000 zł
IRS21271STRPBF

IRS21271STRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

3,63000 zł
Mogą Cię również zainteresowaćZobacz wszystko
8 Pozycje
DMC3025LSD-13

DMC3025LSD-13

MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO

Diodes Incorporated

2,71000 zł
SP8M10FRATB

SP8M10FRATB

MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP

Rohm Semiconductor

8,22000 zł
XP3700M

XP3700M

MOSFET N/P-CH 30V 7.8A 8SO

YAGEO XSEMI

2,05000 zł
B230LA-E3/61T

B230LA-E3/61T

DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,32000 zł
STPS2L30A

STPS2L30A

DIODE SCHOTTKY 30V 2A SMA

STMicroelectronics

1,25000 zł
LTC6990HS6#TRMPBF

LTC6990HS6#TRMPBF

IC OSC SILICON 2MHZ SOT-23-6

Analog Devices Inc.

26,96000 zł
FDS8958A

FDS8958A

MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP

UMW

2,97000 zł
AO4629

AO4629

MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

2,53000 zł