IRF8301MTRPBF Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IRF8301MTRPBF
Numer produktu DigiKey	IRF8301MTRPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRF8301MTRPBF
Opis	MOSFET N-CH 30V 34A DIRECTFET
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 34A (Ta), 192A (Tc) 2,8W (Ta), 89W (Tc) Montaż powierzchniowy DIRECTFET™ MT
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRF8301MTRPBF Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	34A (Ta), 192A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,5mOhm przy 32A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,35V przy 150µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	77 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	6140 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura robocza	-40°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	DIRECTFET™ MT
Obudowa / skrzynia	Izometryczny MT DirectFET™
Bazowy numer produktu	IRF8301

IRF8301MTRPBF