Name: IRF7855TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7855TRPBFTR-ND
Price: 8.6592 PLN
Availability: InStock

IRF7855TRPBF
Numer produktu DigiKey	IRF7855TRPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRF7855TRPBFCT-ND - Taśma cięta (CT) IRF7855TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRF7855TRPBF
Opis	MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Standardowy czas realizacji przez producenta	29 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 12A (Ta) 2,5W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-SO
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRF7855TRPBF Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	12A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	9,4mOhm przy 12A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,9V przy 100µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1560 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SO
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Bazowy numer produktu	IRF7855

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
4 000	1,88360 zł	7 534,40 zł
8 000	1,82044 zł	14 563,52 zł

Cena jednostkowa bez VAT:	7,04000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	8,65920 zł

IRF7855TRPBF