Name: IRF7842TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7842PBFTR-ND
Price: 8.0811 PLN
Availability: InStock

IRF7842TRPBF
Numer produktu DigiKey	IRF7842PBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRF7842PBFCT-ND - Taśma cięta (CT) IRF7842PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRF7842TRPBF
Opis	MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
Standardowy czas realizacji przez producenta	22 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 18A (Ta) 2,5W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-SO
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	18A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	5mOhm przy 17A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,25V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	50 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4500 pF @ 20 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SO
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Bazowy numer produktu	IRF7842

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
4 000	1,73090 zł	6 923,60 zł
8 000	1,65078 zł	13 206,24 zł

Cena jednostkowa bez VAT:	6,57000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	8,08110 zł

IRF7842TRPBF