IRF7832PBF nie jest dostępne w magazynie, a zamówienia niezrealizowane nie są aktualnie dostępne.
Dostępne zamienniki:

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 343
Cena jednostkowa : 7,52000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 45
Cena jednostkowa : 5,47000 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 8 772
Cena jednostkowa : 5,87000 zł
Arkusz danych

Similar


Diodes Incorporated
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 872
Cena jednostkowa : 7,45000 zł
Arkusz danych

Similar


Renesas Electronics Corporation
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Renesas Electronics Corporation
W magazynie: 4 998
Cena jednostkowa : 9,32000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 1 501
Cena jednostkowa : 6,97000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 6 888
Cena jednostkowa : 7,34000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 1 060
Cena jednostkowa : 11,08000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 4 745
Cena jednostkowa : 9,17000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 2 499
Cena jednostkowa : 9,17000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 1 292
Cena jednostkowa : 11,74000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 1 518
Cena jednostkowa : 11,74000 zł
Arkusz danych
Kanał N 30 V 20A (Ta) 2,5W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-SO
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRF7832PBF

Numer produktu DigiKey
IRF7832PBF-ND
Producent
Numer produktu producenta
IRF7832PBF
Opis
MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 30 V 20A (Ta) 2,5W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-SO
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Produkt wycofany z oferty DigiKey
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
4mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
2,32V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
51 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
4310 pF @ 15 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
2,5W (Ta)
Temperatura robocza
-55°C - 155°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
8-SO
Obudowa / skrzynia
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Ze względu na chwilowe ograniczenia w zaopatrzeniu, nie możemy obecnie akceptować niezrealizowanych pozycji zamówienia, jak również niedostępny jest w tej chwili czas realizacji. Wyświetl Zamienniki lub Rodzaje opakowań alternatywnych.