Kanał N 30 V 8,3A (Ta) 2,5W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-SO
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRF7807PBF

Numer produktu DigiKey
IRF7807PBF-ND
Producent
Infineon Technologies
Numer produktu producenta
IRF7807PBF
Opis
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 30 V 8,3A (Ta) 2,5W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-SO
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Infineon Technologies
Seria
HEXFET®
Opakowanie
Rurka
Status części
Produkt wycofany z oferty DigiKey
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
8,3A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
25mOhm przy 7A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id
1V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
17 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
±12V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
2,5W (Tc)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
8-SO
Obudowa / skrzynia
8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Ze względu na chwilowe ograniczenia w zaopatrzeniu, nie możemy obecnie akceptować niezrealizowanych pozycji zamówienia, jak również niedostępny jest w tej chwili czas realizacji. Wyświetl Rodzaje opakowań alternatywnych.
Bez możliwości anulowania i zwrotu