IRF7475PBF jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

Similar

STS6NF20V
STMicroelectronics
W magazynie: 4 810
Cena jednostkowa : 3,48000 zł
Arkusz danych
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
Kanał N 12 V 11A (Ta) 2,5W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-SO
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRF7475PBF

Numer produktu DigiKey
IRF7475PBF-ND
Producent
Infineon Technologies
Numer produktu producenta
IRF7475PBF
Opis
MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 12 V 11A (Ta) 2,5W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-SO
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Infineon Technologies
Seria
HEXFET®
Opakowanie
Rurka
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
12 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
11A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
2,8V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
15mOhm przy 8,8A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id
2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
19 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1590 pF @ 6 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
2,5W (Ta)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
8-SO
Obudowa / skrzynia
8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Bazowy numer produktu
IRF7475
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki lub Rodzaje opakowań alternatywnych.