IRF6892STRPBF Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IRF6892STRPBF
Numer produktu DigiKey	IRF6892STRPBF-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRF6892STRPBF
Opis	MOSFET N CH 25V 28A S3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 25 V 28A (Ta), 125A (Tc) 2,1W (Ta), 42W (Tc) Montaż powierzchniowy DIRECTFET™ S3C
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	25 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	28A (Ta), 125A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,7mOhm przy 28A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,1V przy 50µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	25 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2510 pF @ 13 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,1W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura robocza	-40°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	DIRECTFET™ S3C
Obudowa / skrzynia	Izometryczny S3C DirectFET™

IRF6892STRPBF