Name: IRF6775MTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6775MTRPBFTR-ND
Price: 10.9593 PLN
Availability: OutOfStock

IRF6775MTRPBF
Numer produktu DigiKey	IRF6775MTRPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRF6775MTRPBFCT-ND - Taśma cięta (CT) IRF6775MTRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRF6775MTRPBF
Opis	MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 150 V 4,9A (Ta), 28A (Tc) 2,8W (Ta), 89W (Tc) Montaż powierzchniowy DIRECTFET™ MZ
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRF6775MTRPBF Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Ostatnio kupiono
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	150 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	4,9A (Ta), 28A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	56mOhm przy 5,6A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5V przy 100µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	36 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1411 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura robocza	-40°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	DIRECTFET™ MZ
Obudowa / skrzynia	Izometryczny MZ DirectFET™
Bazowy numer produktu	IRF6775

Cena jednostkowa bez VAT:	8,91000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	10,95930 zł

IRF6775MTRPBF