Name: IRF6646TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6646TRPBFTR-ND
Price: 12.177 PLN
Availability: InStock

IRF6646TRPBF
Numer produktu DigiKey	IRF6646TRPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRF6646TRPBFCT-ND - Taśma cięta (CT) IRF6646TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRF6646TRPBF
Opis	MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 12A (Ta), 68A (Tc) 2,8W (Ta), 89W (Tc) Montaż powierzchniowy DIRECTFET™ MN
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRF6646TRPBF Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	80 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	12A (Ta), 68A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	9,5mOhm przy 12A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,9V przy 150µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2060 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura robocza	-40°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	DIRECTFET™ MN
Obudowa / skrzynia	Izometryczny MN DirectFET™
Bazowy numer produktu	IRF6646

Cena jednostkowa bez VAT:	9,90000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	12,17700 zł

IRF6646TRPBF