Name: IRF6613TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6613TRPBFTR-ND
Price: 13.4439 PLN
Availability: OutOfStock

IRF6613TRPBF
Numer produktu DigiKey	IRF6613TRPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRF6613TRPBFCT-ND - Taśma cięta (CT) IRF6613TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRF6613TRPBF
Opis	MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	33 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 23A (Ta), 150A (Tc) 2,8W (Ta), 89W (Tc) Montaż powierzchniowy DIRECTFET™ MT
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRF6613TRPBF Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	23A (Ta), 150A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	3,4mOhm przy 23A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,25V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	63 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	5950 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura robocza	-40°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	DIRECTFET™ MT
Obudowa / skrzynia	Izometryczny MT DirectFET™
Bazowy numer produktu	IRF6613

Cena jednostkowa bez VAT:	10,93000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	13,44390 zł

IRF6613TRPBF