IRF60SC241ARMA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IRF60SC241ARMA1 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

MFR Recommended

Infineon Technologies

W magazynie: 233

Cena jednostkowa : 16,12000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRF60SC241ARMA1
Numer produktu DigiKey	448-IRF60SC241ARMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IRF60SC241ARMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IRF60SC241ARMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRF60SC241ARMA1
Opis	MOSFET N-CH 60V 360A TO263-7
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 360A (Tc) 2,4W (Ta), 417W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-7
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRF60SC241ARMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,7V przy 250µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 388 nC @ 10 V
Seria StrongIRFET™	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 16000 pF @ 30 V
Status części Nieaktualne	Straty mocy (maks.) 2,4W (Ta), 417W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TO263-7
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 360A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-263-7, D2PAK (6 odpr. + wypust)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Bazowy numer produktu IRF60SC241
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1,3mOhm przy 100A, 10V