IRF60SC241ARMA1 Infineon Technologies | Półprzewodniki dyskretne

IRF60SC241ARMA1
Numer produktu DigiKey	448-IRF60SC241ARMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IRF60SC241ARMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IRF60SC241ARMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRF60SC241ARMA1
Opis	MOSFET N-CH 60V 360A TO263-7
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 360A (Tc) 2,4W (Ta), 417W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-7
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRF60SC241ARMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	StrongIRFET™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	360A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,3mOhm przy 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,7V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	388 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	16000 pF @ 30 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,4W (Ta), 417W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-7
Obudowa / skrzynia	TO-263-7, D2PAK (6 odpr. + wypust)
Bazowy numer produktu	IRF60SC241