IRF60B217 Infineon Technologies | Półprzewodniki dyskretne

IRF60B217 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

STMicroelectronics

W magazynie: 936

Cena jednostkowa : 10,83000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRF60B217
Numer produktu DigiKey	IRF60B217-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRF60B217
Opis	MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 60A (Tc) 83W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRF60B217 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	StrongIRFET™
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	60A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	9mOhm przy 36A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,7V przy 50µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	66 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2230 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	83W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220AB
Obudowa / skrzynia	TO-220-3
Bazowy numer produktu	IRF60B217