Name: IRF5210STRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF5210STRLPBFTR-ND
Price: 18.7206 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRF5210STRLPBF
Numer produktu DigiKey	IRF5210STRLPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRF5210STRLPBFCT-ND - Taśma cięta (CT) IRF5210STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRF5210STRLPBF
Opis	MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	36 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 100 V 38A (Tc) 3,1W (Ta), 170W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRF5210STRLPBF Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 230 nC @ 10 V
Seria HEXFET®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2780 pF @ 25 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 3,1W (Ta), 170W (Tc)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Obudowa dostawcy urządzenia D2PAK
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 38A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu IRF5210
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 60mOhm przy 38A, 10V