IRF3707ZCSTRRP Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IRF3707ZCSTRRP
Numer produktu DigiKey	IRF3707ZCSTRRPTR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRF3707ZCSTRRP
Opis	MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 59A (Tc) 57W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	59A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	9,5mOhm przy 21A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,25V przy 25µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	15 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1210 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	57W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	D2PAK
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB

IRF3707ZCSTRRP