IRF3205SPBF nie jest dostępne w magazynie, a zamówienia niezrealizowane nie są aktualnie dostępne.
Dostępne zamienniki:

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 5 302
Cena jednostkowa : 7,72000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 7,04000 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 4 599
Cena jednostkowa : 14,11000 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 321
Cena jednostkowa : 11,42000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 1 881
Cena jednostkowa : 29,37000 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 5 986
Cena jednostkowa : 7,83000 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 152
Cena jednostkowa : 9,23000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 1 496
Cena jednostkowa : 13,03000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 714
Cena jednostkowa : 17,24000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 350
Cena jednostkowa : 13,93000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 368
Cena jednostkowa : 11,60000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 1 581
Cena jednostkowa : 12,46000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 449
Cena jednostkowa : 12,28000 zł
Arkusz danych
Kanał N 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRF3205SPBF

Numer produktu DigiKey
IRF3205SPBF-ND
Producent
Numer produktu producenta
IRF3205SPBF
Opis
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
IRF3205SPBF Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Produkt wycofany z oferty DigiKey
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
55 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
8mOhm przy 62A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
146 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
3247 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
200W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
D2PAK
Obudowa / skrzynia
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Ze względu na chwilowe ograniczenia w zaopatrzeniu, nie możemy obecnie akceptować niezrealizowanych pozycji zamówienia, jak również niedostępny jest w tej chwili czas realizacji. Wyświetl Zamienniki lub Rodzaje opakowań alternatywnych.