IRF150P221XKMA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IRF150P221XKMA1
Numer produktu DigiKey	IRF150P221XKMA1-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRF150P221XKMA1
Opis	MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 150 V 186A (Tc) 341W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO247-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRF150P221XKMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	StrongIRFET™
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	150 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	186A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	4,5mOhm przy 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,6V przy 264µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	100 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	6000 pF @ 75 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	341W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO247-3
Obudowa / skrzynia	TO-247-3
Bazowy numer produktu	IRF150

IRF150P221XKMA1