Kanał N 100 V 42A (Tc) 3,8W (Ta), 160W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRF1310NSTRRPBF

Numer produktu DigiKey
IRF1310NSTRRPBF-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent
Infineon Technologies
Numer produktu producenta
IRF1310NSTRRPBF
Opis
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 100 V 42A (Tc) 3,8W (Ta), 160W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Infineon Technologies
Seria
HEXFET®
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Status części
Produkt wycofany z oferty Digi-Key
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
42A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
36mOhm przy 22A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1900 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
3,8W (Ta), 160W (Tc)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
D2PAK
Obudowa / skrzynia
TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Ze względu na chwilowe ograniczenia w zaopatrzeniu, nie możemy obecnie akceptować niezrealizowanych pozycji zamówienia, jak również niedostępny jest w tej chwili czas realizacji. Wyświetl Rodzaje opakowań alternatywnych.
Bez możliwości anulowania i zwrotu