Name: IRF1310NSTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF1310NSTRLPBFTR-ND
Price: 13.2471 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRF1310NSTRLPBF
Numer produktu DigiKey	IRF1310NSTRLPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRF1310NSTRLPBFCT-ND - Taśma cięta (CT) IRF1310NSTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRF1310NSTRLPBF
Opis	MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	28 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 42A (Tc) 3,8W (Ta), 160W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 110 nC @ 10 V
Seria HEXFET®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1900 pF @ 25 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 3,8W (Ta), 160W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Obudowa dostawcy urządzenia D2PAK
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 42A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu IRF1310
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 36mOhm przy 22A, 10V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 6 951

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)