IRF1018ESLPBF Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IRF1018ESLPBF
Numer produktu DigiKey	IRF1018ESLPBF-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRF1018ESLPBF
Opis	MOSFET N-CH 60V 79A TO262
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 79A (Tc) 110W (Tc) Otwór przelotowy TO-262
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	79A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	8,4mOhm przy 47A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 100µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	69 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2290 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	110W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-262
Obudowa / skrzynia	TO-262-3 długie odpr., I2PAK, TO-262AA

IRF1018ESLPBF