Name: IRF1010NSTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF1010NSTRLPBFTR-ND
Price: 12.546 PLN
Availability: InStock

IRF1010NSTRLPBF
Numer produktu DigiKey	IRF1010NSTRLPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRF1010NSTRLPBFCT-ND - Taśma cięta (CT) IRF1010NSTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRF1010NSTRLPBF
Opis	MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 55 V 85A (Tc) 180W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Ostatnio kupiono
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	55 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	85A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	11mOhm przy 43A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	120 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3210 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	180W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	D2PAK
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	IRF1010

Cena jednostkowa bez VAT:	10,20000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	12,54600 zł

IRF1010NSTRLPBF