IRF1010EZSPBF nie jest dostępne w magazynie, a zamówienia niezrealizowane nie są aktualnie dostępne.
Dostępne zamienniki:

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 5 327
Cena jednostkowa : 8,11000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 6,71000 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 1 871
Cena jednostkowa : 9,68000 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 5,43428 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 5 303
Cena jednostkowa : 9,61000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 10 165
Cena jednostkowa : 12,95000 zł
Arkusz danych

Similar


Renesas Electronics Corporation
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 4,10128 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 6 018
Cena jednostkowa : 7,48000 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 152
Cena jednostkowa : 8,80000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 1 496
Cena jednostkowa : 12,44000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 714
Cena jednostkowa : 16,54000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 4 352
Cena jednostkowa : 8,44000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 449
Cena jednostkowa : 11,74000 zł
Arkusz danych
Kanał N 60 V 75A (Tc) 140W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRF1010EZSPBF

Numer produktu DigiKey
IRF1010EZSPBF-ND
Producent
Numer produktu producenta
IRF1010EZSPBF
Opis
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 60 V 75A (Tc) 140W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Produkt wycofany z oferty DigiKey
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
8,5mOhm przy 51A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 100µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2810 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
140W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
D2PAK
Obudowa / skrzynia
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Ze względu na chwilowe ograniczenia w zaopatrzeniu, nie możemy obecnie akceptować niezrealizowanych pozycji zamówienia, jak również niedostępny jest w tej chwili czas realizacji. Wyświetl Zamienniki lub Rodzaje opakowań alternatywnych.