IRF1010EZSPBF nie jest dostępne w magazynie, a zamówienia niezrealizowane nie są aktualnie dostępne.
Dostępne zamienniki:

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 2 946
Cena jednostkowa : 7,36000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 6,70000 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 2 123
Cena jednostkowa : 9,66000 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 5,22465 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 5 513
Cena jednostkowa : 9,37000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 24 075
Cena jednostkowa : 12,92000 zł
Arkusz danych

Similar


Renesas Electronics Corporation
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 11 662
Cena jednostkowa : 7,47000 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 160
Cena jednostkowa : 8,78000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 1 625
Cena jednostkowa : 12,66000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 2 032
Cena jednostkowa : 16,51000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 1 366
Cena jednostkowa : 9,37000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 449
Cena jednostkowa : 11,71000 zł
Arkusz danych
Kanał N 60 V 75A (Tc) 140W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRF1010EZSPBF

Numer produktu DigiKey
IRF1010EZSPBF-ND
Producent
Numer produktu producenta
IRF1010EZSPBF
Opis
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 60 V 75A (Tc) 140W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Produkt wycofany z oferty Digi-Key
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
8,5mOhm przy 51A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 100µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2810 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
140W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
D2PAK
Obudowa / skrzynia
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Ze względu na chwilowe ograniczenia w zaopatrzeniu, nie możemy obecnie akceptować niezrealizowanych pozycji zamówienia, jak również niedostępny jest w tej chwili czas realizacji. Wyświetl Zamienniki lub Rodzaje opakowań alternatywnych.