IRF7171MTRPBF Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IRF7171MTRPBF
Numer produktu DigiKey	IRF7171MTRPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRF7171MTRPBF
Opis	MOSFET N-CH 100V 15A DIRECTFET
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 15A (Ta), 93A (Tc) 2,8W (Ta), 104W (Tc) Montaż powierzchniowy DIRECTFET™ MN
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	FASTIRFET™, HEXFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	15A (Ta), 93A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	6,5mOhm przy 56A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,6V przy 150µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	54 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2160 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,8W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	DIRECTFET™ MN
Obudowa / skrzynia	Izometryczny MN DirectFET™

IRF7171MTRPBF