Name: IQEH68NE2LM7UCGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQEH68NE2LM7UCGATMA1TR-ND
Price: 12.9396 PLN
Availability: InStock

Nowy produkt

Kanał N 25 V 47A (Ta), 338A (Tc) 2,5W (Ta), 130W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TTFN-9-3

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IQEH68NE2LM7UCGATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IQEH68NE2LM7UCGATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IQEH68NE2LM7UCGATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IQEH68NE2LM7UCGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IQEH68NE2LM7UCGATMA1
Opis	TRENCH <= 40V
Standardowy czas realizacji przez producenta	29 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 25 V 47A (Ta), 338A (Tc) 2,5W (Ta), 130W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TTFN-9-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 0,68mOhm przy 20A, 10V
Prod. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) przy Id 2V przy 369µA
Seria OptiMOS™ 7	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 48 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±16V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 5200 pF @ 12 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 2,5W (Ta), 130W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 25 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 47A (Ta), 338A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TTFN-9-3
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia 9-PowerTDFN