Name: IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1TR-ND
Price: 14.5017 PLN
Availability: OutOfStock

Nowy produkt

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
Opis	TRENCH <= 40V
Standardowy czas realizacji przez producenta	39 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 25 V 54A (Ta), 422A (Tc) 2,5W (Ta), 150W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-WHTFN-9-1
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ 7
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	25 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	54A (Ta), 422A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	0,5mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 432µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	57 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	6100 pF @ 12 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta), 150W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-WHTFN-9-1
Obudowa / skrzynia	9-PowerWDFN