Name: IQE220N15NM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE220N15NM5CGATMA1TR-ND
Price: 14.6247 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IQE220N15NM5CGATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IQE220N15NM5CGATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IQE220N15NM5CGATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IQE220N15NM5CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IQE220N15NM5CGATMA1
Opis	TRENCH >=100V
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 150 V 44A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TTFN-9-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IQE220N15NM5CGATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4,6V przy 46µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 18.3 nC @ 10 V
Seria OptiMOS™ 5	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1400 pF @ 75 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 2,5W (Ta), 100W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 150 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TTFN-9-3
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 44A (Tc)	Obudowa / skrzynia 9-PowerTDFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu IQE220N15
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 22mOhm przy 16A, 10V