
IQE050N08NM5CGSCATMA1 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 448-IQE050N08NM5CGSCATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IQE050N08NM5CGSCATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IQE050N08NM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | IQE050N08NM5CGSCATMA1 |
Opis | OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 61 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 80 V 16A (Ta), 99A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-WHTFN-9-1 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | IQE050N08NM5CGSCATMA1 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 80 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 6V, 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 5mOhm przy 20A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 3,8V przy 49µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 44 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 2900 pF @ 40 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 2,5W (Ta), 100W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PG-WHTFN-9-1 | |
Obudowa / skrzynia |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 13,71000 zł | 13,71 zł |
| 10 | 8,94600 zł | 89,46 zł |
| 100 | 6,23670 zł | 623,67 zł |
| 500 | 5,07968 zł | 2 539,84 zł |
| 1 000 | 4,91782 zł | 4 917,82 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 6 000 | 4,01783 zł | 24 106,98 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 13,71000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 16,86330 zł |










