Name: IQE050N08NM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE050N08NM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 15.7071 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IQE050N08NM5CGSCATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IQE050N08NM5CGSCATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IQE050N08NM5CGSCATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IQE050N08NM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IQE050N08NM5CGSCATMA1
Opis	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	39 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 16A (Ta), 99A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-WHTFN-9-1
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IQE050N08NM5CGSCATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ 5
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	80 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	16A (Ta), 99A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	5mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,8V przy 49µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2900 pF @ 40 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-WHTFN-9-1
Obudowa / skrzynia	9-PowerWDFN