Name: IQE013N04LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE013N04LM6ATMA1TR-ND
Price: 12.8289 PLN
Availability: InStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

IQE013N04LM6ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IQE013N04LM6ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IQE013N04LM6ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IQE013N04LM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IQE013N04LM6ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	14 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 31A (Ta), 205A (Tc) 2,5W (Ta), 107W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TSON-8-4
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IQE013N04LM6ATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	31A (Ta), 205A (Tc)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,35mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 51µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3900 pF @ 20 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta), 107W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TSON-8-4
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	IQE013

Cena jednostkowa bez VAT:	10,43000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	12,82890 zł

IQE013N04LM6ATMA1