Name: IQE006NE2LM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE006NE2LM5ATMA1TR-ND
Price: 13.1733 PLN
Availability: InStock

IQE006NE2LM5ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IQE006NE2LM5ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IQE006NE2LM5ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IQE006NE2LM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IQE006NE2LM5ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	23 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 25 V 41A (Ta), 298A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TSON-8-4
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IQE006NE2LM5ATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ 5
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	25 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	41A (Ta), 298A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	0,65mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	82.1 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	5453 pF @ 12 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,1W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TSON-8-4
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	IQE006

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
5 000	3,00661 zł	15 033,05 zł
10 000	2,94618 zł	29 461,80 zł

Cena jednostkowa bez VAT:	10,71000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	13,17330 zł

IQE006NE2LM5ATMA1