Name: IQD016N08NM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQD016N08NM5CGATMA1TR-ND
Price: 18.7329 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IQD016N08NM5CGATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IQD016N08NM5CGATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IQD016N08NM5CGATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IQD016N08NM5CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IQD016N08NM5CGATMA1
Opis	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Standardowy czas realizacji przez producenta	14 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 31A (Ta), 323A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TTFN-9-U02
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IQD016N08NM5CGATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ 5
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	80 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	31A (Ta), 323A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,57mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,8V przy 159µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	133 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	9200 pF @ 40 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3W (Ta), 333W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TTFN-9-U02
Obudowa / skrzynia	9-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	IQD016

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 4 760

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®