Name: IPW65R029CFD7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPW65R029CFD7XKSA1-ND
Price: 59.4951 PLN
Availability: InStock

IPW65R029CFD7XKSA1
Numer produktu DigiKey	448-IPW65R029CFD7XKSA1-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPW65R029CFD7XKSA1
Opis	MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 69A (Tc) 305W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO247-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPW65R029CFD7XKSA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	69A (Tc)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	29mOhm przy 35,8A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,5V przy 1,79mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	145 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	7149 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	305W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO247-3
Obudowa / skrzynia	TO-247-3
Bazowy numer produktu	IPW65R029

Cena jednostkowa bez VAT:	48,37000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	59,49510 zł

IPW65R029CFD7XKSA1