
IPW60R190E6FKSA1 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | IPW60R190E6FKSA1-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IPW60R190E6FKSA1 |
Opis | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3 |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 600 V 20,2A (Tc) 151W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO247-3-1 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | IPW60R190E6FKSA1 Modele |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 3,5V przy 630µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 63 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±20V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1400 pF @ 100 V |
Status części Ostatnio kupiono | Straty mocy (maks.) 151W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 600 V | Obudowa dostawcy urządzenia PG-TO247-3-1 |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 190mOhm przy 9,5A, 10V |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPW60R180P7XKSA1-ND | 16,23000 zł | MFR Recommended |
| FCH190N65F-F155 | onsemi | 381 | FCH190N65F-F155-ND | 26,82000 zł | Similar |
| IXFH50N60P3 | IXYS | 351 | 238-IXFH50N60P3-ND | 49,09000 zł | Similar |
| IXFR48N60Q3 | IXYS | 0 | IXFR48N60Q3-ND | 102,25880 zł | Similar |
| SIHG22N60E-E3 | Vishay Siliconix | 500 | SIHG22N60E-E3-ND | 20,50000 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 19,03000 zł | 19,03 zł |
| 30 | 10,55333 zł | 316,60 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 19,03000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 23,40690 zł |



