IPU60R1K0CEBKMA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IPU60R1K0CEBKMA1
Numer produktu DigiKey	IPU60R1K0CEBKMA1-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPU60R1K0CEBKMA1
Opis	MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 4,3A (Tc) 37W (Tc) Otwór przelotowy TO-251
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™ CE
Opakowanie	Rurka
Status części	Produkt wycofany z oferty DigiKey
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	4,3A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1Ohm przy 1,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 130µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	280 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	37W (Tc)
Temperatura robocza	-40°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-251
Obudowa / skrzynia	TO-251-3 krótkie odpr, IPAK, TO-251AA
Bazowy numer produktu	IPU60R

IPU60R1K0CEBKMA1