IPTG111N20NM3FDATMA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IPTG111N20NM3FDATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPTG111N20NM3FDATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPTG111N20NM3FDATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPTG111N20NM3FDATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPTG111N20NM3FDATMA1
Opis	TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 200 V 10,8A (Ta), 108A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOG-8-1
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPTG111N20NM3FDATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ 3
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Produkt wycofany z oferty DigiKey
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	10,8A (Ta), 108A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	11,1mOhm przy 96A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 267µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	81 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	7000 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,8W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-HSOG-8-1
Obudowa / skrzynia	8-PowerSMD, Gull Wing
Bazowy numer produktu	IPTG111N

IPTG111N20NM3FDATMA1