Name: IPTG018N10NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPTG018N10NM5ATMA1TR-ND
Price: 23.001 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPTG018N10NM5ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPTG018N10NM5ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPTG018N10NM5ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPTG018N10NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPTG018N10NM5ATMA1
Opis	TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 32A (Ta), 273A Tc) 3,8W (Ta), 273W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOG-8-1
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPTG018N10NM5ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	32A (Ta), 273A Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,8mOhm przy 150A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,8V przy 202µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	152 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	11000 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,8W (Ta), 273W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-HSOG-8-1
Obudowa / skrzynia	8-PowerSMD, Gull Wing
Bazowy numer produktu	IPTG018N