IPTC012N08NM5ATMA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IPTC012N08NM5ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPTC012N08NM5ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPTC012N08NM5ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPTC012N08NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPTC012N08NM5ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 80V 40A/396A HDSOP
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 40A (Ta), 396A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HDSOP-16-2
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPTC012N08NM5ATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ 5
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	80 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	40A (Ta), 396A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,2mOhm przy 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,8V przy 275µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	219 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	16000 pF @ 40 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,8W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-HDSOP-16-2
Obudowa / skrzynia	Moduł 16-PowerSOP
Bazowy numer produktu	IPTC012N

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	33,13000 zł	33,13 zł
10	22,66300 zł	226,63 zł

Cena jednostkowa bez VAT:	33,13000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	40,74990 zł

IPTC012N08NM5ATMA1