Name: IPT65R025CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT65R025CM8XTMA1TR-ND
Price: 54.5505 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPT65R025CM8XTMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPT65R025CM8XTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPT65R025CM8XTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPT65R025CM8XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPT65R025CM8XTMA1
Opis	IPT65R025CM8XTMA1
Standardowy czas realizacji przez producenta	30 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 101A (Tc) 543W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOF-8
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 25mOhm przy 40A, 10V
Prod. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) przy Id 4,7V przy 1,06mA
Seria CoolMOS™	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 124 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 5910 pF @ 400 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 543W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 101A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PG-HSOF-8
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerSFN