Name: IPT60T022S7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT60T022S7XTMA1TR-ND
Price: 53.4804 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPT60T022S7XTMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPT60T022S7XTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPT60T022S7XTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPT60T022S7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPT60T022S7XTMA1
Opis	HIGH POWER_NEW
Standardowy czas realizacji przez producenta	25 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 23A (Tj) 390W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOF-8-2
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPT60T022S7XTMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 22mOhm przy 23A, 12V
Prod. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) przy Id 4,5V przy 1,43mA
Seria CoolMOS™	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 150 nC @ 12 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 5640 pF @ 300 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 390W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 600 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 23A (Tj)	Obudowa dostawcy urządzenia PG-HSOF-8-2
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 12V	Obudowa / skrzynia 8-PowerSFN