Name: IPT029N08N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT029N08N5ATMA1TR-ND
Price: 21.6357 PLN
Availability: OutOfStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPT029N08N5ATMA1
Numer produktu DigiKey	IPT029N08N5ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPT029N08N5ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPT029N08N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPT029N08N5ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 52A (Ta), 169A (Tc) 168W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOF-8-1
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPT029N08N5ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,8V przy 108µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 87 nC @ 10 V
Seria OptiMOS™ 5	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 6500 pF @ 40 V
Status części Ostatnio kupiono	Straty mocy (maks.) 168W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 80 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-HSOF-8-1
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 52A (Ta), 169A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-PowerSFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Bazowy numer produktu IPT029
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 2.9mOhm przy 150A, 10V