Name: IPT020N10N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT020N10N5ATMA1TR-ND
Price: 21.8817 PLN
Availability: InStock

IPT020N10N5ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPT020N10N5ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPT020N10N5ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPT020N10N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPT020N10N5ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Standardowy czas realizacji przez producenta	31 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 31A (Ta), 260A (Tc) 273W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOF-8-1
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPT020N10N5ATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ 5
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	31A (Ta), 260A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	2mOhm przy 150A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,8V przy 202µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	152 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	11000 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	273W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-HSOF-8-1
Obudowa / skrzynia	8-PowerSFN
Bazowy numer produktu	IPT020

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
2 000	6,00730 zł	12 014,60 zł
4 000	5,95840 zł	23 833,60 zł

Cena jednostkowa bez VAT:	17,79000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	21,88170 zł

IPT020N10N5ATMA1