Name: IPT020N10N3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT020N10N3ATMA1TR-ND
Price: 23.001 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPT020N10N3ATMA1
Numer produktu DigiKey	IPT020N10N3ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPT020N10N3ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPT020N10N3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPT020N10N3ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 300A (Tc) 375W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOF-8-1
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPT020N10N3ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nie do nowych projektów
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	300A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	2mOhm przy 150A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 272µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	156 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	11200 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	375W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-HSOF-8-1
Obudowa / skrzynia	8-PowerSFN
Bazowy numer produktu	IPT020