Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
IPS65R650CEAKMA1 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:
MFR Recommended
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
IPS65R650CEAKMA1 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | IPS65R650CEAKMA1-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IPS65R650CEAKMA1 |
Opis | MOSFET N-CH 700V 10.1A TO251-3 |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 700 V 10,1A (Tc) 86W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO251-3 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Atrybuty produktu
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Nieaktualne | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 700 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 650mOhm przy 2,1A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 3,5V przy 210µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 23 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 440 pF @ 100 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 86W (Tc) | |
Temperatura robocza | -40°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PG-TO251-3 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
Przestarzałe
Produkt powiązanyZobacz wszystko
8 Pozycje
Polska