Name: IPP80R1K4P7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP80R1K4P7XKSA1-ND
Price: 8.2533 PLN
Availability: OutOfStock

IPP80R1K4P7XKSA1
Numer produktu DigiKey	IPP80R1K4P7XKSA1-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPP80R1K4P7XKSA1
Opis	MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	48 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 800 V 4A (Tc) 32W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO220-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPP80R1K4P7XKSA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	800 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	4A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,4Ohm przy 1,4A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 70µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	250 pF @ 500 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	32W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO220-3
Obudowa / skrzynia	TO-220-3
Bazowy numer produktu	IPP80R1

Cena jednostkowa bez VAT:	6,71000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	8,25330 zł

IPP80R1K4P7XKSA1